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에너지 고효율이 가능한 ReRAM의 제조 방법

연구자
김건환 박사
작성일
2021-07-30 09:55:50.0
분류
정보·전자 소재 > 반도체 > 메모리 장치
응용분야
차세대 메모리, Neuromorphic system, In-memory computing
적용제품
Storage Class Memory (SCM)
첨부파일
2021년-01차 KRICT SMK_부분 28.pdf [652 KB] 미리보기
상부 전극측과 하부 전극층이 수직으로 교차하게 형성되고, 고 저항 상태 수반 없이 복수개의 저 저항 상태 사이에서
저항이 전환되어 ReRAM 동작 중 소거 동작이 제거되는 에너지 고 효율이 가능한 ReRAM 제조 방법
메뉴담당자 담당부서 : 기술사업화실 담당자 : 김종철 연락처 : 042-860-7080
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